ウェハ周辺/ステップ/全面露光装置
ウェハの「外周」露光、チップのレイアウトに沿った「ステップ」露光、ウェハの「全面」露光と、用途に応じて選べるUV照射装置です。
~φ8インチ、~φ12インチのユニットタイプ、スタンドアローンタイプなど、ご相談に応じます。
特徴
- 高照度、均一度照
- 高精度露光
- 高スループット
- 高操作性、クリーン搬送
- 豊富なバリエーション
処理前/処理後
主な用途
周辺露光
- パーティクルの発生防止
- 膜剥がれ防止メッキ
- 電極のレジスト開口 など
ステップ露光
- パーティクルの発生防止
- 膜剥がれ防止
- 周辺部のチップの抹消
- エッチング時エンドポイントの検出、およびパターンレシオのコントロール
- CMPの均一化、ダイシング工程の効率化 など
全面露光
- CCD、CMOSイメージャのブリーチング
- リワーク
- 表面改質 など
お問い合わせ
東京 TEL: 03-6361-5591 / FAX: 03-6361-5599
