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ウシオの光加熱 ~ハロゲンランプヒータ~ Special contents - Halogen Lamp heater

半導体:Semiconductor

ハロゲンヒータは、他の熱源では実現することができない「高速昇降温と非接触加熱」を可能にする熱源で、100℃の低温域から1200℃の高温域まで幅広い温度域に対応できます。
現在の半導体プロセスにおいては、酸化膜形成、シャロージャンクション形成、シリサイド形成やCVD・スパッタ装置等の熱源、さらには水・薬液の保温など、各熱処理プロセスの標準熱源として幅広く採用されています。
各種エピタキシャル用ヒーターも製作しております。

用途:Usage

RTP/RTA

  • ハロゲンランプヒータによるRTPは、サーマルバジェット低減・薄膜形成などの熱処理プロセスにおいて、研究開発から量産まで幅広く適用されており、プロセスの拡張性を更に広げます。

エピタキシャル

  • エピタキシャル成長に必要な1200℃の高温熱処理プロセスには、ハロゲンランプヒータが最適です。また長寿命は、ランニングコスト低減が可能で、CoOに大きく寄与します。

CVD/PVD

  • 瞬時点灯が可能なハロゲンランプヒータは、ホットプレートのように温度が安定するまで長時間待つ必要がありません。またクリーンな非接触加熱は、コンタミネーションの心配がありません。

洗浄・乾燥

  • ハロゲンランプヒータの高速応答性が、純水・薬液の温度を精密にコントロールします。
  • 又、ハロゲンランプヒータは高純度石英で出来ており、不純物を発生させません。
  • ハロゲンランプヒータによる非接触加熱は、ウェハ洗浄後のクリーンな乾燥が可能です。

主な試料

各種シリコンウェハ(~450mm)、SiC、SOI、化合物

特長:Features

高効率なエネルギー源

イメージ:高効率なエネルギー源

投入電力の85%以上を赤外線に変換、放射する高効率なランプ式放射加熱源です。
消費電力の抑制は、ランニングコストの低減を実現します。


優れた昇降温性能

イメージ:物質の分光放射率の例

熱容量の小さなタングステンフィラメントを発熱体とし、非接触?高速昇降温が可能です。
シリコンウェハを加熱した場合、250℃/秒を超える高速昇温も可能。サーマルバジェット低減や薄膜形成・浅い接合層形成などに不可欠な熱源です。
また、常時電力を消費する抵抗加熱源と異なり、すばやい立ち上がり性能は、必要な時ON、不要な時OFFで、ランニングコスト低減、タクトアップなどCoO低減に大きく寄与します。


高いコントロール性能

光学設計されたヒータユニットと専用PID制御システムにより、低温域から高温域まで、他の熱源では達成できない、優れた温度コントロールを実現します。
更にハロゲンランプヒータによる非接触加熱は、クリーン加熱のみならず、装置設計に高い自由度を与えます。

小型・クリーンな熱源

ハロゲンランプヒータは、小型・軽量であるにも関わらず、大きなエネルギーを出力可能なため、狭い場所にも設置可能です。また、非接触加熱のため、クリーンな雰囲気を保ち、大気中・真空中など加熱雰囲気も問いません。光加熱は、ガスを放出することもなく、CO2放出削減にも効果があります。

長寿命で一定のエネルギー放射

イメージ:電力維持率データ

ハロゲンサイクルの働きで、他のハロゲンランプヒータにはない長寿命設計が可能です。更に、他熱源のような経時変化がなく、寿命末期までほぼ一定のエネルギー放射を維持します。


お問い合わせ

ご相談・お見積り

東京 TEL: 03-3242-5611 / FAX: 03-3242-2700
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