深い焦点深度（最大±50ミクロン）を持つウシオ独自の投影レンズを搭載。段差基板への露光、凹凸基板への露光、さらに圧膜レジストへの露光に最適化しました。

半導体製造で実績のある一括投影露光装置をLED向けに最適化。Φ6インチのサファイアウェハーまで対応可能です。

業界トップの実績を誇り、高精度アライメント、ファインピッチに対応した業界最速処理能力のステップ＆リピート露光装置です。

最大φ8インチウェハまで対応。大面積一括投影露光による高生産性と高精度重ね合わせを実現。薄型ウェハー、反りウェハーの搬送吸着にも対応できるほか、裏面アライメント（オプション）により、両面デバイスも対応可能です。

最大φ150mmの水晶基板に対応。基板のたわみに対応する深い焦点深度（最大±50ミクロン）を持つ、ウシオ独自の投影レンズを上下に搭載し、圧倒的な生産性を実現しました。

従来ステッパーやプロキシミティ露光装置と比較し、CoOを大幅に低減。MEMS、ウェハーレベルパッケージ、バンピングウェハー再配線のデザインルールに最適化されたステップ&リピート投影露光方式のステッパーです。

マスクダメージレスな投影露光でワーク全面を一括露光。また、裏面アライメント、両面一括露光にも対応可能な万能型プロジェクション露光装置（アライナー）です。

専用に開発した高出力ランプ、定評のある光学系技術を駆使した投影レンズにより、高効率で高解像度な露光を実現しました。

従来のステッパーやプロキシミティ露光装置と比較し、CoOを大幅に低減。スーパーコネクト領域のデザインルールや最先端のプリント基板ロードマップ（ラインアンドスペース=5/5μm前後）に最適化したステッパーです。

試作・開発から量産向けまで、プロセス汎用性の高いプロキシミティー・コンタクト露光方式（アライナー）。最高解像度ラインアンドスペース＝1um、重ね合せ精度±1um以下を実現し、最大12インチウェハーまでの露光に対応可能です。