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Deep UVランプ光源装置

キセノンランプをベースに水銀などの金属蒸気を封入した、高輝度・点光源のDeep UVランプはより微細な半導体回線パターンの露光用として開発され、遠赤外線に強いスペクトルランプを持っています。


特長

  • 自社開発の500WDeep UVランプを搭載
  • 照射距離(レンズ端より)100mmにて有効照射径 φ50mm
  • 照射距離(レンズ端より)100mmにて照度600,000lx


仕様

ランプ 500W Deep UVランプ
ランプ寿命 800時間
セット内容 ランプハウス(165×245×262)
Deep UVランプ
電源(222×209×230)
レンズ(172mm φ76.1)

波長スペクトル


アプリケーション例


半導体露光実験用途

卓上や実験室で半導体回線パターンの露光が簡単に可能です。


お問い合わせ

東京TEL.03-3242-5614 / FAX.03-3242-2700
大阪TEL.06-6306-5711 / FAX.06-6306-5718

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