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HOME > 研究・技術情報 > 共同実験・デモ機のご案内 > 瞬間・急速加熱用フラッシュランプ
瞬間・急速加熱用フラッシュランプ
1/1,000秒という極めて短い時間での加熱プロセス実験を可能にします。
UVから可視光までの波長を有したフラッシュランプから発せられる光は、基板（材料）表面に集中して加熱する事ができるため、従来の熱源と較べ、下層膜や基板への熱影響を極めて小さくする事ができます。（表層のみ瞬間加熱）
この表層のみへ1/1,000秒という極めて短い時間で行う加熱処理は、注入層のゼロ拡散や、サーマルバジェット低減など、これからのデバイス開発に不可欠なテクノロジーとなっています。
またフラッシュランプは、接合、剥離、分解などの機能を有し、Siウェハ、SiCウェハ、ガラス、プラスチックフィルム、フレキシブル基板など多様な研究用途に応用できます。
研究開発から生産（製造）ラインまで対応可能。またデモ実験のご依頼も受付けております。お気軽にご相談ください。
特長
ゼロ拡散 1/1000秒、究極の瞬間アニール（瞬間加熱、急速加熱）技術
瞬間加熱、急速加熱により、32nmノード以降のデバイス開発において、エクステンション活性化におけるXj 制御をゼロ拡散で実現します。
パルス巾制御による処理深さコントロール
- パルス巾を制御することで、極浅から深い接合層の形成が可能です。
- 加熱深度をコントロールし、基板に熱ダメージなく、表層のみ加熱することが可能です。
大面積一括照射
大面積基板への一括照射を可能にし、高スループットを実現しました。
高効率／省エネルギー
フラッシュランプからの波長は Siの吸収特性に合致するため、効率よく昇温が可能です。
用途例
- 極浅接合層形成
- シリサイド形成
- 超極薄酸化膜形成
- 強誘電体キャパシタの成膜
- アモルファスシリコンのポリ化（結晶化）
- 金属ナノペースト（銀・銅、など）の焼成、焼結
- Si、SiC基板の活性化アニール
- SOI、SOS基板のアニール
- フレキシブル基板の表面加熱 など
各種データ
分光分布
フラッシュランプのパルス制御による処理深さのコントロール
【研究開発用 熱処理ツール】テーブルトップ型 フラッシュランプアニール装置のご紹介
パルス幅、エネルギーを各々制御することで、加熱深さや温度パタメーターを振った幅広い実験が可能です。
■ 特長
- テーブルトップ型のコンパクト仕様
- 照射エネルギーやパルス幅の任意設定が可能
- 裏面温度をホットプレートにて調整可能（オプション仕様）
- □50mmまでの基板サイズの熱処理が可能
※弊社工場内にテスト機をご用意しております。お気軽にお問い合わせください。
お問い合わせ・テスト機のお申し込み
東京 TEL: 03-3242-5058 / FAX: 03-3242-2700
大阪 TEL: 06-6306-5711 / FAX: 06-6306-5718
