この論文を印刷する (2016.08) AMFPD（Int Conf Active-Matrix Flat Panel and Devices） Formation of nc-Si in SiOx by Flash lamp anneling University of Hyogo, Naoki Yoshioka Akira Heya Naoto Matuo USHIO INC., Yousuke Nakamura Gakuhiko Yokomori Masaki Yoshioka Osaka University, Kazuyuki Kohama Kazuhiro Ito 非晶質Si過剰SiOx膜にFLAを行うことで、Si過剰領域のSi原子が凝集し、粒径9nmのSiナノ結晶が形成されることを明らかとした。 Discussion on the clumping of Si atoms in the Si excess region and the formation of nanocrystal Si with a diameter of 9 nm observed in response to FLA on amorphous Si excess SiOx films. 論文はコチラ（外部サイトへジャンプします） 関連製品 1073 瞬間加熱・高温焼成 フラッシュランプアニール 関連論文 導入事例 1106 論文を探す 機能・用途 露光 検査 改質 硬化・接着 測定 加熱・乾燥 魅せる 実験 獲る 守る・防ぐ 育てる 診断 治療 可視化 除菌・脱臭 洗浄 配向 その他 分野・業界 MEMS・電子部品 半導体 液晶・ディスプレイ プリント基板・PKG 機能材料 自動車・船舶 バイオ・化学 医療・美容・創薬 環境・衛生 農漁業・食品 エネルギー 映像・シネマ 印刷 光学 セキュリティ 照明 キーワード 掲載誌：ライトエッジ2017 主に2015年下半期から2016年上半期の発表物を収集・掲載しました。 （2017年08月）
Formation of nc-Si in SiOx by Flash lamp anneling University of Hyogo, Naoki Yoshioka Akira Heya Naoto Matuo USHIO INC., Yousuke Nakamura Gakuhiko Yokomori Masaki Yoshioka Osaka University, Kazuyuki Kohama Kazuhiro Ito 非晶質Si過剰SiOx膜にFLAを行うことで、Si過剰領域のSi原子が凝集し、粒径9nmのSiナノ結晶が形成されることを明らかとした。 Discussion on the clumping of Si atoms in the Si excess region and the formation of nanocrystal Si with a diameter of 9 nm observed in response to FLA on amorphous Si excess SiOx films. 論文はコチラ（外部サイトへジャンプします）
