第84回応用物理学会秋季学術講演会 

InGaN 光電変換素子を用いた光無線給電の検討 
Investigation of Optical Wireless Power Transmission using InGaN Photonic Power Converter Cell 

 

千葉工業大学1, 名古屋工業大学2, ウシオ電機3, 名城大学

古賀 誠啓1,渋井 駿昌1,高橋 龍成1,鈴木 淳一1,青山 怜央1,野口 尊央1,林 駿希1, 藤澤 孝博2, 伊井 詩織4, 渡邊 琉加4, 深町 俊彦3, 難波江 宏一3, 三好 実人2, 竹内 哲也4, 上山 智4, 内田 史朗1 

Chiba Inst1, Nagoya Inst 2, Ushio Inc.3, Meijo University4 

 Masahiro Koga1, Shunsuke Shibui1, Ryusei Takahashi1, Junichi Suzuki1, Reo Aoyama1 , Takahiro Noguchi1, Shunki Hayashi1, Takahiro Fujisawa2, Shiori Ii4, Ruka Watanabe4, Toshihiko Fukamachi3, Koichi Naniwae3, Makoto Miyoshi2, Tetsuya Takeuchi4, Satoshi Kamiyama4, Shiro Uchida1 

 

【背景】

 レーザと受光デバイスを用いた光無線給電は、様々な機器・装置への新たなエネルギー伝送技術として注目されている。InGaN 受光素子はバンドギャップが大きく高い開放電圧が得られ、高い光電変換効率が報告されている[1, 2]。本研究では In0.1Ga0.9N 受光素子を 3×3 mm2で作製し、眼に安全な 400nm 以下のレーザ光を照射し光無線給電システムの検討を行った。 
 

【方法】 

 作製した InGaN 受光素子に波長 394 nm のレーザ光を照射し特性評価を行った(図1)。この時、光電変換効率ηpvはレーザ入射強度を Pin 、受光素子から得られた最大出力電力を Pout とし、ηpv= Pout/ Pin にて算出した。 


                                                                                    Fig1. Experimental configuration
 

【結果】 

 レーザ照射強度 398 mW/cm2 (4-sun 相当)で光電変換 効率 20.8%が得られた(図2)。現状の課題として、高効率化には曲線因子FFの改善が必要である事が分かった。 今後は、素子のコンタクト抵抗及びシート抵抗を低減する事で更なる高効率化が期待される。 


                                                               Fig.2. J-V curve of InGaN cell under laser irradiation

 

【謝辞】 

 本研究は、NEDO先導研究プログラム「移動体への光無線給電システムの研究開発」(JPNP14004)の支援を受けて実施された。
 

 参考文献 

 [1] M. Miyoshi et al, AIPA 11 (2021) 095208 
 [2] 藤澤 孝博 他, 第 70 回春季学術講演会 15a-B401-5 (2023)