Fabrication of vertical AlGaN-based ultraviolet-B laser diodes using a laser lift-off method

Toma Nishibayashi¹, Ryosuke Kondo¹, Eri Matsubara¹, Ryoya Yamada¹, Yoshinori Imoto¹, Koki Hattori¹, Sho Iwayama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Hideto Miyake², Koichi Naniwae³,
Kohei Miyoshi³, Akihiko Yamaguchi⁴, and Motoaki Iwaya<sup>1 

1</sup>Department of Materials Science and Engineering, Meijo University, Nagoya 468-8502, Japan
²Graduate School of Electrical and Electronic Engineering, Mie University, Tsu 514-8507, Japan
³Ushio, Inc., Gotenba 412-0038, Japan
⁴Seishin Trading Co. Ltd., Kobe 650-0047, Japan

 

近年、UV -LDに関する報告が相次いでいる。紫外半導体発光素子の応用分野を考えると、高出力、高電流密度動作の実現が必須であり、これを実現する縦型素子の製造プロセスの確立が重要である。この論文では、LLO 法を使用した AlGaN ベースの垂直 UV-B LD の実現について調査した。 結果として電流密度 25kA cm^‒2 において、発光ピーク波長 298.1 nm、半値幅 1 nm 未満の非常にシャープな発光に変化し、誘導放出に特徴的な発光になることが確認された。

 

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