IMAPS Symposium 2024よりBest of Session Awardを受賞
ウシオ電機株式会社（本社：東京都、代表取締役社長 朝日 崇文、以下 ウシオ）は、NTTデバイスクロステクノロジ株式会社（以下 NTTデバイスクロステクノロジ）と共同で、９月30日から10月3日まで米国ボストンで開催されたマイクロエレクトロニクスおよび先進的パッケージング技術に関する国際学会「IMAPS Symposium 2024（以下 IMAPS 2024）」にて、Best of Session Awardを受賞しました。
IMAPS 2024は、973名という過去最大規模の参加者が集い、各セッション合計125件以上のオーラル・ポスター発表が行われました。Best of Session Awardは、その技術委員会（Technical Committee）が各セッション内で最も優れた発表を表彰するものです。
今回の受賞は、「SUBSTRATE INTEGRATION AND RELIABILITY」セッションにおいて、「Adhesion analysis and Transmission characteristics of Sputtered Copper Seed Layer on Cycloolefin Polymer（シクロオレフィンポリマー上のスパッタ銅シード層の密着性解析と高周波伝送特性）」の発表に対するもので、6G通信技術の進展に向け、ウシオとNTTデバイスクロステクノロジの研究成果が高く評価されたものです。
ウシオは、今後とも継続的にエキシマランプによる表面改質技術を進展させ、最先端半導体製造プロセスに貢献してまいります。
■発表内容概要
ウシオは、エキシマランプによる表面改質技術を活用し、6G通信用アンテナ基板向けに、シクロオレフィンポリマー（COP）などの低誘電材料の樹脂上に、無電解銅めっきやチタンなどの金属密着層を使用せずにシード層を形成する「ダイレクトCuスパッタリング」の研究を行っています。
本発表ではダイレクトCuスパッタリングシード層と無電解銅めっきシード層におけるCOPと銅めっきの界面状態を解析することで密着メカニズムを検討し、さらにNTTデバイスクロステクノロジと共同で製作したコプレーナ伝送回路において、高周波伝送特性を評価した結果、ダイレクトCuスパッタリングシード層は無電解銅めっきシード層に比べて60GHz以上の高周波域において優れた低伝送損失特性を示すことを確認しました。
■ご参考
・IMAPS Symposium 2024についてはこちらをご覧ください。
IMAPS 2024は、973名という過去最大規模の参加者が集い、各セッション合計125件以上のオーラル・ポスター発表が行われました。Best of Session Awardは、その技術委員会（Technical Committee）が各セッション内で最も優れた発表を表彰するものです。
今回の受賞は、「SUBSTRATE INTEGRATION AND RELIABILITY」セッションにおいて、「Adhesion analysis and Transmission characteristics of Sputtered Copper Seed Layer on Cycloolefin Polymer（シクロオレフィンポリマー上のスパッタ銅シード層の密着性解析と高周波伝送特性）」の発表に対するもので、6G通信技術の進展に向け、ウシオとNTTデバイスクロステクノロジの研究成果が高く評価されたものです。
ウシオは、今後とも継続的にエキシマランプによる表面改質技術を進展させ、最先端半導体製造プロセスに貢献してまいります。
■発表内容概要
ウシオは、エキシマランプによる表面改質技術を活用し、6G通信用アンテナ基板向けに、シクロオレフィンポリマー（COP）などの低誘電材料の樹脂上に、無電解銅めっきやチタンなどの金属密着層を使用せずにシード層を形成する「ダイレクトCuスパッタリング」の研究を行っています。
本発表ではダイレクトCuスパッタリングシード層と無電解銅めっきシード層におけるCOPと銅めっきの界面状態を解析することで密着メカニズムを検討し、さらにNTTデバイスクロステクノロジと共同で製作したコプレーナ伝送回路において、高周波伝送特性を評価した結果、ダイレクトCuスパッタリングシード層は無電解銅めっきシード層に比べて60GHz以上の高周波域において優れた低伝送損失特性を示すことを確認しました。
■ご参考
・IMAPS Symposium 2024についてはこちらをご覧ください。
