ウシオ電機、EUVリソグラフィマスク検査用EUV光源を量産プロセス向けとして初検収
先行稼働の研究開発機が高評価、EUV事業を加速
ウシオ電機株式会社(本社:東京都、代表取締役社長 内藤 宏治、以下 ウシオ)は、この度、検査装置メーカーより受注している複数のEUVリソグラフィマスク検査装置用EUV光源※1(以下、EUV光源)のうち、量産プロセス向けEUV光源が初めて検収されましたのでお知らせ致します。
EUVリソグラフィは、高度な微細化が進む次世代半導体製造工程には欠かせない技術であり、大手デバイスメーカーを中心に実用化に向けた検証が進んでいますが、EUVリソグラフィを量産技術として確立するためには、高精細なマスクの欠陥を検査・検出するためのEUV光源の実用化が必須とされています。
ウシオは、オランダ応用科学研究機構(TNO:The Netherlands Organization for Applied Scientific Research)のEUV照射・分析用ファシリティ「EBL2」において、2017年3月から自社の高輝度SnLDP(レーザーアシストプラズマ放電方式)EUV光源※2搭載機による各種研究・評価サービスを提供するなど、一貫して高輝度EUV光源の研究・開発に取り組み、性能と信頼性を向上させてきました。
今回の検収は、これらの実績に加え、検査装置メーカーに先行納入し、既に稼働している研究開発機向けEUV光源の性能が高く評価されたものです。これにより、次世代半導体製造工程の量産プロセスに必要な、高輝度EUV光を使用した“Actinic”なEUVリソグラフィ用マスク検査が可能となります。
「弊社はさまざまな光ソリューションを提供しており、その中でもEUV光源はコアコンピタンスの一つと位置付けています。新たな通信規格や、それに対応する多種多様なアプリケーションの登場が期待されている現状において、EUVリソグラフィの実用化は待望久しい必要条件の一つです。今回の量産プロセス向け検査装置用EUV光源の検収により、期待されている社会インフラの実現に貢献できることは、光企業である私たちにとって大きな喜びであり、今後を担う社会的責任を肝に銘じて、製品の安定供給に全力を挙げて取り組んでまいります。」
(ウシオ電機株式会社 EUV事業担当役員 井ノ迫 伸啓)
ウシオは今後も、高精度マスク検査用EUV光源技術を継続的に進展させ、最先端半導体製造プロセスに貢献してまいります。
※1 マスク検査装置用EUV光源
EUV(Extreme ultraviolet :極端紫外光)は物質を透過しにくいため、光学系にはレンズではなく反射ミラーが利用されている。反射光学系のマスクブランクスはMo/Siの繰り返し積層構造となっており、欠陥が入るとパターンが歪んでしまうため、欠陥の有無確認へのニーズが量産プロセスには必要となる。なお、EUVのマスク検査には主に以下の3タイプがある。
1‐1. Actinic Blanks Inspection (ABI)
EUVマスクブランクスの品質管理のために実施される、EUV光を用いた検査。EUVブランクスはMo/Siの
多層膜であり、下地低膨張基板や多層膜の位相欠陥はActinic(EUV光)検査が必要。
1‐2. Actinic Pattern Inspection(API)
EUVパターン付きマスクの品質管理のために実施される、EUV光を用いた検査。表面の吸収体パターン
の欠陥だけでなくMo/Si位相欠陥を検査するためActinic検査が必要。ペリクルを装着しても検査が可能。
1‐3. Systems for Aerial Image Measurement
EUVの空間像計測システム。露光を模擬してAPI検査で検出された欠陥の光学コントラスト劣化を判定する。
更に欠陥修正後、光学コントラストが充分であるか検査する。
※2 SnLDP(レーザアシストプラズマ放電方式)EUV光源
レーザーをトリガーとして電極上の錫を蒸発させ、その蒸発した錫を放電により発生させたプラズマで励起することでEUV光を取り出す方式。プラズマを発生させる錫をレーザーで励起させることでEUV光を取り出す「LPP/Sn方式」や、放電で発生させたプラズマでクセノンを励起することでEUV光を取り出す「DPP方式」に比べ、高輝度かつ省スペースが特長。
EUVリソグラフィは、高度な微細化が進む次世代半導体製造工程には欠かせない技術であり、大手デバイスメーカーを中心に実用化に向けた検証が進んでいますが、EUVリソグラフィを量産技術として確立するためには、高精細なマスクの欠陥を検査・検出するためのEUV光源の実用化が必須とされています。
ウシオは、オランダ応用科学研究機構(TNO:The Netherlands Organization for Applied Scientific Research)のEUV照射・分析用ファシリティ「EBL2」において、2017年3月から自社の高輝度SnLDP(レーザーアシストプラズマ放電方式)EUV光源※2搭載機による各種研究・評価サービスを提供するなど、一貫して高輝度EUV光源の研究・開発に取り組み、性能と信頼性を向上させてきました。
今回の検収は、これらの実績に加え、検査装置メーカーに先行納入し、既に稼働している研究開発機向けEUV光源の性能が高く評価されたものです。これにより、次世代半導体製造工程の量産プロセスに必要な、高輝度EUV光を使用した“Actinic”なEUVリソグラフィ用マスク検査が可能となります。
「弊社はさまざまな光ソリューションを提供しており、その中でもEUV光源はコアコンピタンスの一つと位置付けています。新たな通信規格や、それに対応する多種多様なアプリケーションの登場が期待されている現状において、EUVリソグラフィの実用化は待望久しい必要条件の一つです。今回の量産プロセス向け検査装置用EUV光源の検収により、期待されている社会インフラの実現に貢献できることは、光企業である私たちにとって大きな喜びであり、今後を担う社会的責任を肝に銘じて、製品の安定供給に全力を挙げて取り組んでまいります。」
(ウシオ電機株式会社 EUV事業担当役員 井ノ迫 伸啓)
ウシオは今後も、高精度マスク検査用EUV光源技術を継続的に進展させ、最先端半導体製造プロセスに貢献してまいります。
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※1 マスク検査装置用EUV光源
EUV(Extreme ultraviolet :極端紫外光)は物質を透過しにくいため、光学系にはレンズではなく反射ミラーが利用されている。反射光学系のマスクブランクスはMo/Siの繰り返し積層構造となっており、欠陥が入るとパターンが歪んでしまうため、欠陥の有無確認へのニーズが量産プロセスには必要となる。なお、EUVのマスク検査には主に以下の3タイプがある。
1‐1. Actinic Blanks Inspection (ABI)
EUVマスクブランクスの品質管理のために実施される、EUV光を用いた検査。EUVブランクスはMo/Siの
多層膜であり、下地低膨張基板や多層膜の位相欠陥はActinic(EUV光)検査が必要。
1‐2. Actinic Pattern Inspection(API)
EUVパターン付きマスクの品質管理のために実施される、EUV光を用いた検査。表面の吸収体パターン
の欠陥だけでなくMo/Si位相欠陥を検査するためActinic検査が必要。ペリクルを装着しても検査が可能。
1‐3. Systems for Aerial Image Measurement
EUVの空間像計測システム。露光を模擬してAPI検査で検出された欠陥の光学コントラスト劣化を判定する。
更に欠陥修正後、光学コントラストが充分であるか検査する。
※2 SnLDP(レーザアシストプラズマ放電方式)EUV光源
レーザーをトリガーとして電極上の錫を蒸発させ、その蒸発した錫を放電により発生させたプラズマで励起することでEUV光を取り出す方式。プラズマを発生させる錫をレーザーで励起させることでEUV光を取り出す「LPP/Sn方式」や、放電で発生させたプラズマでクセノンを励起することでEUV光を取り出す「DPP方式」に比べ、高輝度かつ省スペースが特長。