ウェハ向け一括投影露光装置UX-4シリーズのLED光源搭載装置「UX-44101SCB / UX-45114SCB」を受注開始
ウシオ電機株式会社（本社：東京都、代表取締役社長 朝日 崇文、以下 ウシオ）は、ウェハ向け一括投影露光装置UX-4シリーズの新製品として、LED光源を搭載した「UX-44101SCB」「UX-45114SCB」を、2026年7月より受注開始しますのでお知らせいたします。
「UX-4シリーズ」は、主にパワー半導体、MEMS、通信・光電融合関連（光半導体）のデバイスなどの生産効率を上げるための露光装置として長年にわたり多くの導入実績を持つ一括投影方式の露光装置です。
近年、半導体産業では化学物質の使用や排出に関する環境規制が強化されており、業界全体に影響を与えています。その中で露光装置光源のLED化が進んでいますが、高い露光量が必要なレイヤーなどでは、照度不足による露光時間の延長が課題となっています。
その課題に対し、ウシオは創業以来培ってきた固体光源の設計技術をベースに、従来の水銀ランプと同等の照度を達成したLED光源ユニットを開発し、このLED光源ユニットを搭載した「UX-44101SCB」「UX-45114SCB」の開発に成功しました。
これにより、IoTや5G、モビリティの進化に不可欠な次世代電子デバイスのウェハ大型化や高精度化に伴い、高い露光量が必要となるBump※1、WLP※2の工程に対しても、従来の水銀ランプと同等の高スループットを実現できます。また、従来の水銀ランプと比べて、露光時の瞬時点灯、消灯を可能とし、光源の長寿命化を実現することで、装置導入後のランニングコストを大幅に削減できます。
ウシオは今後も、ウェハ向け一括投影露光装置のリーディングカンパニーとして、便利・快適な社会の実現に「光」で貢献していきます。
※1 半導体チップの電極部分に「Bump（バンプ）」と呼ばれる微小な突起状の金属端子（はんだの球など）を形成する工程
※2 シリコンウェハを四角いチップに切り分ける前に、ウェハの状態のままで一括してパッケージング（封止）や端子形成を行う工程
■主な特長
・一括投影露光 ： マスクダメージレス 高生産性120WPH以上
・深い焦点深度 ： 3D表面形状への露光、厚膜レジスト露光
・自動化対応 ： インライン、オンライン、OHT・AGV対応
・水銀レス、LED光源対応
■外観写真
■仕様
| 仕様/型式 | UX-44101SCB | UX-45114SCB （暫定仕様） |
UX-45114SC （ランプ光源） |
| ウェハサイズ | 4inch | 6inch/8inch | 6inch/8inch |
| 露光エリア | φ100mm | φ200mm | φ200mm |
| 解像力 | 2μm | 2.8μm | 2.8μm |
| 焦点深度 | ±10μm | ±10μm | ±10μm |
| 重ね合わせ (表面) | ±1.0μm | ±0.8μm | ±0.8μm |
| 重ね合わせ (裏面) | ±1.5μm | ±1.0μm | ±1.0μm |
| 波長 | i 線 | i 線 | i 線 |
| 照度 | 100mW/cm2 | 40mW/cm2 | 40mW/cm2 |
| 対応ウェハ材質 |
Si, GaAs, GaN, GaP, InP, SiC, |
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| 自動化オプション | EFEM, マスク自動搬送, SECS/GEM オンライン, AGV, コータ/デベロッパとのインライン化 | ||
