学会での発表論文
光加熱に関連する、弊社の学会発表論文をご紹介します。
| 光源 | 分野 | 発表 | 文献名 |
|---|---|---|---|
| FL | 半導体 | 2001 International Conference on Solid State Devices and Matelials | Flash Lamp Anneal Technology for Effectively Activating Ion Implanted Si 2002 |
| FL | 半導体 | 2002 International Conference on Solid State Devices and Matelials | Novel PZT Crystallization Technique by Using Flash Lamp for FeRAM Embedded LSIs and 1Tr FeRAM Devices |
| FL | 半導体 | 電気情報通信学会 シリコンデバイス研究会 | フラッシュランプを用いた新しいPZT膜結晶化技術 |
| FL | ディスプレイ | 2006秋季 第67回応用物理学会学術講演会 | 瞬間熱処理法によるボトムゲート型TFT用Si薄膜の結晶化 |
| FL | ディスプレイ | 2006.9 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference | A NEW TYPE POLY-Si PREPARED BY FAST LAMP ANNEALING OF Cat-CVD a-Si AND ITS DEFECT PASSIVATION BY HIGH PRESSURE WATER VAPOR ANNEALING 2007 |
| FL | ディスプレイ | 2006.10 4th International Conference on Hot-Wire CVD(Cat-CVD)Process | Poly-Si Films with Long Carrier Lifetime Prepared by Rapid Thermal Annealing of Cat-CVD Amorphous Silicon Thin Films 2007 |
| FL | ディスプレイ | ヨーロッパ太陽電池国際会議 | FORMATION OF POLYCRYSTALLINE Si FILMS OVER 3 µm IN THICKNESS ON QUARTZ SUBSTRATES BY FLASH LAMP ANNEALING 2008 |
| FL | ディスプレイ | 2007春季 第54回応用物理学会学術講演会 | フラッシュランプアニールにより形成した高品質多結晶シリコン薄膜 |
| FL | ディスプレイ | 2007春季 第54回応用物理学会学術講演会 | フラッシュランプアニールによるアモルファスシリコン薄膜の面内均一結晶化 |
| FL | ディスプレイ | 2007春季 第54回応用物理学会学術講演会 | フラッシュランプアニールにより形成した多結晶シリコン薄膜の結晶性の調査 |
| FL | ディスプレイ | 2007春季 第54回応用物理学会学術講演会 | フラッシュランプアニールにより形成された多結晶Si薄膜への高圧水蒸気熱処理 |
| FL | ディスプレイ | 2006.9 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference | A NEW TYPE POLY-Si PREPARED BY FAST LAMP ANNEALING OF Cat-CVD a-Si AND ITS DEFECT PASSIVATION BY HIGH PRESSURE WATER VAPOR ANNEALING 2007 |
| FL | ディスプレイ | 2006.10 4th International Conference on Hot-Wire CVD(Cat-CVD)Process | Poly-Si Films with Long Carrier Lifetime Prepared by Rapid Thermal Annealing of Cat-CVD Amorphous Silicon Thin Films 2007 |
| FL | 半導体 | 信学技報, vol. 115(363), 23-26, 2015-12-14 | a-Ge膜のFLA結晶化における印加電圧依存性 |
| FL | 配線 | プリンタブルデバイス実装研究会 | 光を用いたプリンタブル微細配線形成技術 |
| FL | 半導体 | 日本金属学会 2016年春期(第158回)講演大会 | a-Ge膜のFLA結晶化におけるSiOxキャップ膜の効果 |
| FL | 半導体 | 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM) | Behavior of Si Atoms, Ge Atoms and Vacancies for Flash Lamp Annealing |
| FL | 半導体 | AMFPD（Int Conf Active-Matrix Flat Panel and Devices） | Formation of nc-Si in SiOx by Flash lamp anneling |
| FL | 半導体 | 第77回応用物理学会秋季学術講演会 | a-Ge膜のFLA結晶化における場所依存性 |
| FL | 半導体 | 日本金属学会 2017春季講演大会 | 円柱状a-Ge膜のフラッシュランプアニール結晶化 2018 |
| FL | 半導体 | 信学技報, vol. 116, no. 355, SDM2016-102, pp. 55-58, 2016-12 | アイランド状a-Ge膜のFLA結晶化 2018 |
| FL | 半導体 | Japanese Journal of Applied Physics | Dynamics of Vacancy and Interstitial Atoms During Crystallization of Amorphous Ge or Si Film by Flash Lamp Anealing 2018 |
| ハロゲン | 半導体 | 2019春季 第66回応用物理学会学術講演会 | 急速乾燥技術によるウェット洗浄後パターン閉塞抑制プロセスの開発 |
| ハロゲン | 日本赤外線学会誌 第7巻第2号(」1997) | 各種(遠近)赤外線ランプの開発 | |
| FL | 半導体 | Japanese Journal of Applied Physics Vol.41(2002) pp2394-2398 | 10-15nm Ultrashallow Junction Formation by Flash-Lamp Annealing |
| FL | 半導体 | 2011.8 Laser Focus World Japan | 28nｍノードの要件を満たす半導体ウエハのアニール加工 |
| FL | 半導体 | J. Vac. Soc. Jpn. Vol. 55, No. 12, 2012 | フラッシュランプアニールによる太陽電池用多結晶シリコン薄膜形成 |
| FL | 半導体 | [1]. M. Abe et. al. "Dopant Activation Control Using a SoakPulse in Flash Lamp Annealing", International Conference of Ion Implantation Technology (IT), (2016) p. 295 | High Activation Reaching Supersaturation Achieved by Short-Duration Flash Lamp Annealing |
| FL | 半導体 | [2]. H. Kawarazaki et. al. "Formation of +/p junctions less than 20 nm deep in Ge and diffusion control by Flash Lamp Annealing (FLA)", International Workshop on Junction Technology (IW ). (2015) p. 19 | |
| FL | 半導体 | [3]. K Fuse et al, “Conformal SDE Doping for FinFETs using an Arsenic-doped Sol-Gel Coating (SGC) and Flash Lamp Annealing (FLA)", International Workshop on Junction Technology (IWJT). (2017) p. 66 | |
| FL | 半導体 | [4]. H. Tanimara et. al. "Nanometer-deep Junctions with High Doping Concentration for Ge SDEs using Solid Source Doping and Flash Lamp Annealing (FLA)", International Workshop on Junction Technology (IWJT), (2017) p. 15 | |
| FL | 半導体 | [5]. H. Kawarazaki et al, "New Flash Lamp Annealing Tool Equipped with an Ambient Control Feature Suitable for High-k Gate Stack Anneals", International Conference ofIon Implantation Technology (IT), (2016) p. 287 | |
| FL | 半導体 | [6]. H. Kawarazaki et. al. "Improving the Etch Resistance of SIN Using Flash Lamp Annealing while Preventing Dopant Deactivation for Sub-10nm Node Devices", International Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF), (2017) p.108 | |
| FL | 半導体 | [7]. H. Taninmura et. al," "10 nm-Deep + p and pt/n Ge Junctions with High Activation Formed by Ion Implantation and Flash Lamp Annealing (FLA)". International Workshop on Junction Technology (IWJT), (2016) p. 77 | |
| FL | 半導体 | [8] 1. Igo et. al. "Novel Approach for Highly Activated pt Diffusion layer Formation in Germanium with Pre-heating Oxygen Desorption before Ion Implantation", International Workshop on Junction Technology (IWJT), (2017) p. 13 | |
| FL | 半導体 | [9]. H. Taninnra et. al. "Germanium Junctions for Beyond-Si Node Using Flash Lamp Annealing (FLA)". MRS Advances. (2017) p.2921 |
