この論文を印刷する (2016.08) AMFPD(Int Conf Active-Matrix Flat Panel and Devices) Formation of nc-Si in SiOx by Flash lamp anneling University of Hyogo, Naoki Yoshioka Akira Heya Naoto Matuo USHIO INC., Yousuke Nakamura Gakuhiko Yokomori Masaki Yoshioka Osaka University, Kazuyuki Kohama Kazuhiro Ito 非晶質Si過剰SiOx膜にFLAを行うことで、Si過剰領域のSi原子が凝集し、粒径9nmのSiナノ結晶が形成されることを明らかとした。 Discussion on the clumping of Si atoms in the Si excess region and the formation of nanocrystal Si with a diameter of 9 nm observed in response to FLA on amorphous Si excess SiOx films. 論文はコチラ(外部サイトへジャンプします) 関連製品 1073 瞬間加熱・高温焼成 フラッシュランプアニール 関連論文 導入事例 1106 論文を探す 機能・用途 露光検査改質硬化・接着測定加熱・乾燥魅せる実験獲る守る・防ぐ育てる診断治療可視化除菌・脱臭洗浄配向その他 分野・業界 MEMS・電子部品半導体液晶・ディスプレイプリント基板・PKG機能材料自動車・船舶バイオ・化学医療・美容・創薬環境・衛生農漁業・食品エネルギー映像・シネマ印刷光学セキュリティ照明 キーワード 掲載誌:ライトエッジ2017 主に2015年下半期から2016年上半期の発表物を収集・掲載しました。 (2017年08月)
Formation of nc-Si in SiOx by Flash lamp anneling University of Hyogo, Naoki Yoshioka Akira Heya Naoto Matuo USHIO INC., Yousuke Nakamura Gakuhiko Yokomori Masaki Yoshioka Osaka University, Kazuyuki Kohama Kazuhiro Ito 非晶質Si過剰SiOx膜にFLAを行うことで、Si過剰領域のSi原子が凝集し、粒径9nmのSiナノ結晶が形成されることを明らかとした。 Discussion on the clumping of Si atoms in the Si excess region and the formation of nanocrystal Si with a diameter of 9 nm observed in response to FLA on amorphous Si excess SiOx films. 論文はコチラ(外部サイトへジャンプします)