はじめに

Si半導体の絶縁層であるSiO₂のエッチングはウエットからドライへと移行した。しかし、これによってもレジストを用いるリソグラフィー工程が必要とされている。我々はこの工程の簡略化を目的として、フロン12ガスとエキシマレーザーを用い、SiO₂のレジストレスエッチングを行う方法を提案してきた^{［1］［2］}。しかし、フロン12は特定フロンと呼ばれ、近年規制が厳しくなっている。このため、エッチャントにフロン22を用いエッチングを行ってきたが、ArFエキシマレーザ－（193nm）ではフロン22を効率よくエッチングすることは難しかった。

今回フロン22を光分解するための光源として172nmの誘電体バリア放電エキシマランプを使用することにより、ArFエキシマレーザーより効率よくガスを光分解できることが明らかになったので報告する。

実験方法および結果

SiO₂基板が存在する反応セル内に、CHClF₂ガスを封入する。ここに、172nmランプを照射する。この照射により光分解したCF₂^＊が（CF₂）nとして基板表面に極薄い膜層となって堆積する。同時に、基板に対し垂直方向よりレチクルを介し、パターン状になったKrFエキシマレーザーを（CF₂）n膜へ照射する。Fig.1にSiO₂エッチング表面を示す。この時の条件は、CHClF₂ 400Torr，KrFエキシマレーザーのエネルギー密度270mJ/cm₂であり、エッチング深さは、約800Åであった。