誘電体バリア放電を用いたエキシマランプは、従来の紫外線ランプ(重水素ランプ、高圧Xe、低圧水銀ランプなど)の特性を上回る新しいランプであり、様々なプロセッシングへの応用が有望視されている。我々は、ヘッドオン型キセノンエキシマランプ(ウシオ電機製：波長172nm)を用いた光CVDによる石英薄膜の作製を試みた。

TEOS(珪素アルコキシド)を10Torrの圧力で満たしたチャンバー内で室温、照度10mW/cm²でサファイア基盤を約5時間照射したところ5時間照射したところ5時間照射したところ5時間照射したところ、基盤上に無色透明な薄膜状の物質が約250nm堆積した。表面のSEM写真を図1に示す。FT-IR測定でこの薄膜中には Si-O-Si 伸縮運動の強いピークが見られ、石英膜が生成されていることが確認できた。得られた薄膜について物理的、光学的特性を調べており、あわせて当日報告する予定である。