SiNを用いたAlInGaN系紫外LED高出力化の検討
Investigation of high power AlInGaN-based ultraviolet LEDs fabrication using SiN

徳島大工，
片岡研，沖本聖，仁木貴敏，住吉和英，月原政志，西野克志，直井美貴，酒井士郎
Univ.of Tokushima，
K.Kataoka,T.Okimoto, T.Niki, K.Sumiyoshi, M.Tsukihara, K.Nishino, Y.Naoi, S.Sakai
e-mail:kataoka@ee. tokushima-u.ac.jp

はじめに

V-LEDは白色光源や殺菌・医療等の応用に向けて現在研究が盛んに行われている．これまでに我々はSiNを活性層構造中に挿入することでUV-LEDの出力が向上することを報告した^[1]．今回,より高いAl組成を有するAlInGaN系UV-LEDについて，発光出力に対するSiN挿入効果を検討したので報告する．

実験方法

MOCVD法によりサファイア（0001）基板上にGaNを成長したのち，AlN/AlGaN歪緩衝層，AlGaN，n-AlGaN，AlInGaN/AlGaN 多重量子井戸，p-AlGaNの順に成長を行いUV-LEDを作製した．SiNはGaN上およびAlIn-GaN井戸層の各層に挿入するか、井戸層のみに挿入した．

結果

Fig.1に作製したLEDのELスペクトルを示す．①はSiNをAlInGaN井戸層中に挿入したLED，②はSiNを含まないこと以外は①と同条件で作製したLEDである．①および②の発光波長はそれぞれ341nm，342nmであった．①のピーク強度は②の約2.5倍となり，井戸層中にSiNを挿入することによりLEDの発光強度が向上することを確認した．これはSiNがAlInGaN井戸層内のIn組成不均一を増大させたことによる効果と考えられる．

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掲載誌：ライトエッジ No.29

フラッシュランプを用いた瞬間熱処理技術の関連論文を中心に、2006年に各学会や研究会で発表した論文13件、専門誌への投稿論文4件をご紹介します。

（2007年08月）

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