InGaN 光電変換素子を用いた光無線給電の検討
Investigation of Optical Wireless Power Transmission using InGaN Photonic Power Converter Cell
千葉工業大学1, 名古屋工業大学2, ウシオ電機3, 名城大学4
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古賀 誠啓1,渋井 駿昌1,高橋 龍成1,鈴木 淳一1,青山 怜央1,野口 尊央1,林 駿希1, 藤澤 孝博2, 伊井 詩織4, 渡邊 琉加4, 深町 俊彦3, 難波江 宏一3, 三好 実人2, 竹内 哲也4, 上山 智4, 内田 史朗1
Chiba Inst1, Nagoya Inst 2, Ushio Inc.3, Meijo University4
○ Masahiro Koga1, Shunsuke Shibui1, Ryusei Takahashi1, Junichi Suzuki1, Reo Aoyama1 , Takahiro Noguchi1, Shunki Hayashi1, Takahiro Fujisawa2, Shiori Ii4, Ruka Watanabe4, Toshihiko Fukamachi3, Koichi Naniwae3, Makoto Miyoshi2, Tetsuya Takeuchi4, Satoshi Kamiyama4, Shiro Uchida1
【背景】
レーザと受光デバイスを用いた光無線給電は、様々な機器・装置への新たなエネルギー伝送技術として注目されている。InGaN 受光素子はバンドギャップが大きく高い開放電圧が得られ、高い光電変換効率が報告されている[1, 2]。本研究では In0.1Ga0.9N 受光素子を 3×3 mm2で作製し、眼に安全な 400nm 以下のレーザ光を照射し光無線給電システムの検討を行った。
【方法】
作製した InGaN 受光素子に波長 394 nm のレーザ光を照射し特性評価を行った(図1)。この時、光電変換効率ηpvはレーザ入射強度を Pin 、受光素子から得られた最大出力電力を Pout とし、ηpv= Pout/ Pin にて算出した。
Fig1. Experimental configuration
【結果】
レーザ照射強度 398 mW/cm2 (4-sun 相当)で光電変換 効率 20.8%が得られた(図2)。現状の課題として、高効率化には曲線因子FFの改善が必要である事が分かった。 今後は、素子のコンタクト抵抗及びシート抵抗を低減する事で更なる高効率化が期待される。
Fig.2. J-V curve of InGaN cell under laser irradiation
【謝辞】
本研究は、NEDO先導研究プログラム「移動体への光無線給電システムの研究開発」(JPNP14004)の支援を受けて実施された。
参考文献
[1] M. Miyoshi et al, AIPA 11 (2021) 095208
[2] 藤澤 孝博 他, 第 70 回春季学術講演会 15a-B401-5 (2023)