Physica. Status Solidi a2019
Broadband Ultraviolet Emission from 2D Arrays of AlGaN
Microstructures Grown on the Patterned AlN Templates
Ken Kataoka1, 2, Mitsuru Funato1, and Yoichi Kawakami1
1 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan
2 Research & Development Division, USHIO Inc., Himeji, Hyogo 671-0224, Japan
AlGaN微細構造2次元アレイからの広帯域紫外線（UV）発光を実現した。c面サファイア基板上に成長したAlNテンプレート上にフォトリソグラフィとドライエッチングによりトレンチ構造をもつ2次元アレイを形成し、その後、AlGaN量子井戸を2次元アレイ上に再成長させた。トレンチ内に局所的に形成されるバンチングステップにより量子井戸の組成と厚みが変化し、場所により発光波長に違いが発生する。バンチングステップ形成のメカニズムは、狭いトレンチ内で原料とその前駆体の流れにばらつきが起こりAlN成長速度に差が生じることに起因している。
Broadband ultraviolet (UV) emission from AlGaN microstructured 2D arrays is achieved. 2D arrays of trenches are formed on AlN templates on sapphire (0001) substrates by photolithography and dry etching. Then AlGaN quantum wells are regrown on the arrays. The emission wavelength varies as a result of variations in the composition and thickness in the quantum wells. This variation in composition and thickness is due to the bunched steps formed in the trench. The mechanism for the formation of bunching steps is caused by differences in AlN growth rates due to variations in the source-precursor flow in narrow trenches.
（所属は執筆当時）
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