紫外線ホトレジスト硬化装置「ユニハード」

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紫外線照射装置として、LSI製造ラインで採用されている紫外線ホトレジスト硬化です。
超高圧UVランプ、エキシマランプ を搭載し、ドライエッチング時の耐プラズマ性の向上、イオン注入時のレジスト脱ガスおよび焼きしめ、電荷の消去、ストレスイレース、Low-kキュアなど、さまざまな用途で活用されています。

紫外線ホトレジスト硬化装置「ユニハード」
ポジレジストを用いる半導体製造ラインで採用されており、700台の納入実績があります。
現像が完了した、ポジレジストは、UVを照射すると重合(=架橋)反応し高分子化します。それによりレジストの耐熱限界が向上し、各種プロセスによる熱耐性が上がります。
この特長を活かし、歩留り向上や生産性向上に貢献しています。
高照度、均一度照射
初期照度は650mw/cm2以上(220~320nm)を、照度均一度は±10%を保証しています
容易なランプユニット交換
ランプユニットは、交換時の調整が不要で、装置のダウンタイムを低減します。
豊富なラインナップ
φ6インチ用装置( Φ5インチ以下の兼用も可能)、φ8インチ用装置( Φ6インチ以下の兼用も可能)、φ12インチ専用装置など、あらゆるワーク・カセットに対応します。また、エキシマランプを搭載した~φ8インチ用装置もあります。
ドライエッチング時の耐プラズマ性の向上
イオン注入時のレジスト脱ガス及び焼きしめ
電荷の消去、ストレスイレース
Low-kキュア
薄膜磁気ヘッドの層間絶縁膜形成
化合物半導体のリフトオフ工程
表面改質
CCD、CMOSイメージャのブリーチング  など 
耐熱性向上例
UVハードニング処理を行うことにより、250℃ 5minでもレジストが溶解しない。 UVハードニング処理を行っていない場合は、150℃ 5minでレジストが溶解してしまう。

H120シリーズ 12インチ専用機。SEMIに準拠したロードポートを搭載したEFEMを採用。GEM300準拠。
H208シリーズ 8インチ、6インチ対応機

搭載光源