製品一覧
“半導体“の検索結果
製品名 | 製品説明 | 主な用途・分野 | 波長 | ||
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Chromalase | Chromalaseファミリーは、医療、ライフサイエンス、計測機器等のアプリケーションに要求されるレーザー駆動、保護、アラーム、変調、フィードバック機能を搭載したコンパクトモジュールです。12VDCの供給のみで低ノイズドライバとTEC温調による安定したレーザー出力を得られます。さらにBlue Sky Research社独自のμLensテクノロジーを使用した仮想点光源レーザー(VPSL)も搭載可能。円形の回折限界ガウシアンビームプロファイルを出力します。375~785nmを標準ラインナップ。共焦点顕微鏡、フローサイトメトリ眼底スキャナ等各種波長の精密なレーザービームが要求されるアプリケーションに最適です。 |
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高密度実装マルチチップLEDパッケージ(MACs) | ウシオのMulti Arrayed Chipsパッケージ(MACs)は、複数のLEDチップを極限まで高密度に実装した製品です。チップ間距離(ストリートピッチ)を極限まで小さくしています。高光束密度が必要なファイバ導光、高照度照明に最適です。複数チップの中心波長を揃える、あるいは異種チップを混載するなど様々なカスタムが可能です。 |
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TECビルトインTO-56パッケージ | 超小型のペルチェクーラー(TEC)をTO-56にビルトインしたLDパッケージです。LDチップの直近に配置されたTECと同じく内蔵したサーミスタにより精密な温調が可能です。外付けTECを省略できることで、システムの簡略化・ダウンサイジングにも寄与します。ご希望の波長・出力にカスタム対応可能です。 |
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TECビルトインバタフライパッケージ | 超小型のペルチェクーラー(TEC)をビルトインしたLDバタフライパッケージです。LDチップの直近に配置されたTECと同じく内蔵したサーミスタにより精密な温調が可能です。外付けTECを省略できることで、システムの簡略化・ダウンサイジングにも寄与します。ご希望の波長・出力にカスタム対応可能です。 |
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[開発中] バイオメディカル用V/C/R 3波長超小型パッケージ(Bio-TOSA) | バイオメディカル用途に適した405/488/640nmのLDチップを搭載し独自のモノリシック合波素子により3波長を1本のシングルモードファイバーから出力する体積0.5ccの超小型パッケージです。合波調整の省略、システムのダウンサイジングに寄与します。モノリシック合波素子の採用により軸ズレが無く、メンテナンスフリーを実現します。 |
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分割投影露光装置「UX-5シリーズ」 | ウシオでは、サーバーやPC、スマートフォン、タブレット端末等の携帯機器に採用される最先端パッケージングアプリケーションに特化したステッパーを提供してきました。ウシオが長年培った光源・光学技術に独自の大面積投影レンズ技術を用い、パネルサイズに対応したステージを用いたパッケージ基板向けステッパーです。最先端パッケージ基板に求められる高い解像性や重ね合せ精度を実現しつつ、高生産性を達成しています。 【要素技術】
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投影露光装置「UX-4シリーズ」 | ウシオが長年培った光源・光学技術に独自の大面積投影レンズ技術を用いたプロジェクションアライナーです。8インチまでのウェハをマスクと非接触で一括露光することが可能です。広い焦点深度を用いた平らでないウェハに対する露光を可能にし、プロキシミティアライナーには無い高生産性、高歩留りを達成します。
【要素技術】 |
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プロキシミティ露光装置「UX-3シリーズ」 | 本製品は生産終了となりました。
プロキシミティ露光装置「UX-3シリーズ」生産終了のご案内(396KB)
代替品はこちら→オート機 ウシオが長年培った光源・光学技術を用いたマスクアライナーです。ihg線のみならず、Deep UV波長帯域にも対応した露光装置です。 |
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マスクアライナー「UX-1シリーズ」 | 本製品は生産終了となりました。
マスクアライナー「UX-1シリーズ」生産終了のご案内(396KB)
代替品はこちら→マニュアル機 ウシオが長年培った光源・光学技術を用いたマスクアライナーです。ihg線のみならず、Deep UV波長帯域にも対応した露光装置です。 |
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ロールtoロール投影露光装置「UFXシリーズ」 | 累積800台以上の市場実績がある、ウシオのフレキシブル基板用プロキシミティ/投影露光装置のラインナップ。専用に開発した高出力ランプ、定評のある光学系技術を駆使した投影レンズにより、高効率で高解像度な露光を実現します。 【要素技術】 |
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EUV光源 (次世代半導体用マスク検査および各種開発用途向け) | 半導体業界では、より高性能でコンパクト、更に低消費電力の半導体の実現に向け、超微細化露光技術の開発が進められています。その中で有力視されているのが波長13.5nmのEUV(Extreme Ultraviolet)光による「EUV露光」です。 ウシオは、これまで培ってきたEUVの研究・開発実績を活かし、EUV露光用のマスク検査装置向けを始め、各種開発用途向けのEUV Xe DPP およびEUV Sn LDP光源の開発を行なっています。 |
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紫外線ホトレジスト硬化装置「ユニハード」 | 紫外線照射装置として、LSI製造ラインで採用されている紫外線ホトレジスト硬化です。 超高圧UVランプ、エキシマランプ を搭載し、ドライエッチング時の耐プラズマ性の向上、イオン注入時のレジスト脱ガスおよび焼きしめ、電荷の消去、ストレスイレース、Low-kキュアなど、さまざまな用途で活用されています。 本製品は2023年9月末日をもって新規装置の受注を終了させていただきます。 2035年9月末までは、ランプユニット、ホットプレート等の主要保守・消耗部品につきましては、提供に問題ない体制を準備する予定です。 詳細はこちらをご覧ください |
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チャージイレース装置 | 強力な深紫外線照射により、EPROM、フラッシュメモリなどの電荷を除去。各種プラズマプロセスで問題となるチャージングを消去します。 本製品は2023年9月末日をもって新規装置の受注を終了させていただきます。 2035年9月末までは、ランプユニット、ホットプレート等の主要保守・消耗部品につきましては、提供に問題ない体制を準備する予定です。 詳細はこちらをご覧ください |
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スポットUV照射装置 「SP-LED-3」 | 世の中のニーズである「安価」、「使いやすさ」、「水銀レス」を追求したLEDタイプのスポットキュア。 ヘッドの種類はΦ3mm~Φ10mmまで取り揃えており、必要なエリアへの照射が可能です。 取扱説明書はこちら(会員登録が必要です) |
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多目的均一照射ユニット「Deep UV マルチライト」 | Deep UVマルチライトは均一・平行光源として豊富な実績のあるマルチライトシリーズの基本構成はそのままに波長230nm~330nmのDeep UV領域に最適化した光源ユニットです。 リソグラフィー用途はもちろん、表面改質光源、各種光化学反応評価光源としても応用頂けます。 |
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露光装置用光源ユニット 「マルチライト」 | 均一照射光源として、精密パターン露光、半導体素子デバイスのパターン露光、ウェハ露光など、さまざまな用途に使用されます。
【この製品は、ウシオライティングの製品です】 |
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超高圧UVランプ(500W~35kW) | 装置メーカーとの共同開発体制を背景に、デバイスメーカーのさまざまな要望に応える開発を進め、高い評価と信頼を得ているリソグラフィ用UVランプです。 500w~35kwクラスまでの幅広いラインナップで、生産性向上・歩留まり改善などに最適な光をご提案します。また、お客さまの新規装置開発にあわせたランプ開発も承ります。 ■取扱説明書はこちら(会員登録が必要です) ■よくあるご質問はこちら |
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Deep UVランプ | キセノンランプをベースに水銀などの金属蒸気を封入した高輝度・点光源のランプです。 230nm~320nm付近の中紫外域の放射に特徴があり、短波長を利用した光化学反応、UVキュアリング、リソグラフィなどで活用されています。 |
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ハロゲンランプヒータ | ハロゲンランプヒータとは、ハロゲンランプの赤外域の光を、効率よく取り出すために開発された加熱源で、投入電力の85%以上が熱に変換され、非常に高効率なエネルギー源です。 ハロゲンランプヒータによる加熱は、フレキシビリティとコントロール性に富み、ほかの熱源にない優れた特徴を有し、半導体・LCD等の電子デバイス製造プロセス、自動車部品加熱、CFRP等の樹脂素材加熱など、さまざまな産業分野にてウシオの熱処理システムが適用されています。 |
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瞬間加熱・高温焼成 フラッシュランプアニール | UVから可視・赤外域までの連続波長を有したクセノンフラッシュランプの光により、数百μsec~数十msecの点灯時間で、基板・材料の表面へ非接触・瞬間加熱を実現。 Si/SiCウェーハ、ガラス、プラスチックフィルム、フレキシブル基板など多様な研究開発から生産(製造)ライン用途まで適用が可能です。 |
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紫外線照度計「UIT-201」 | 光の専門メーカーとしての経験と実績から生まれた「ユニメーターシリーズ」。ユーザーの立場から「本当の使いやすさ」をカタチにした、コンパクトな光測定器です。照光装置、UVキュアリング、洗浄・殺菌装置など、ご要望に応じた照度管理をご提案します。 ■校正のお申し込みはこちら ■トラブルシューティングはこちら(会員登録が必要です) 弊社製紫外線照度計(UIT-201シリーズ)用受光器シリアル番号表記方法変更のご案内(382KB) |
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